Стенд для измерения электрофизических характеристик полупроводниковых структур на базе зондовой станции Semi Share SC-6
Контактное лицо
Описание установки
Стенд включает в себя приборы для прецизионного измерения статических, импульсных и высокочастотных характеристик полупроводниковых структур и приборов в двух-, трёх- и четырёхтерминальной конфигурациях на пластине с использованием зондовой станции. Стенд позволяет проводить исследования сверхвысокочастотных полупроводниковых структур и приборов в диапазоне частот до 110 ГГц. Стенд обеспечивает возможность исследования полупроводниковых структур и приборов силовой электроники в диапазоне напряжений до 2000 В и в диапазоне токов до 16 A. Оборудование стенда позволяет проводить исследования электрофизических характеристик при повышенных температурах в диапазоне до 350 °C.
Технические характеристики
· Диаметр пластины: до 6 дюймов.
· Размер контактной площадки: от 5 мкм.
· Диапазон рабочих напряжений: до 2000 В.
· Разрешение по напряжению: от 1 мкВ.
· Диапазон рабочих токов: до 16 А.
· Разрешение по току: от 10 aA.
· Диапазон рабочих частот: до 110 ГГц.
· Длительность импульса: от 10 нс.
· Диапазон рабочих температур: до 350 °C.
· Размер контактной площадки: от 5 мкм.
· Диапазон рабочих напряжений: до 2000 В.
· Разрешение по напряжению: от 1 мкВ.
· Диапазон рабочих токов: до 16 А.
· Разрешение по току: от 10 aA.
· Диапазон рабочих частот: до 110 ГГц.
· Длительность импульса: от 10 нс.
· Диапазон рабочих температур: до 350 °C.
