Стенд для измерения электрофизических характеристик полупроводниковых структур на базе зондовой станции Semi Share SC-6

Стенд для измерения электрофизических характеристик полупроводниковых структур на базе зондовой станции Semi Share SC-6
Стенд для измерения электрофизических характеристик полупроводниковых структур на базе зондовой станции Semi Share SC-6

Контактное лицо

Королев Сергей Александрович, с.н.с. ИФМ РАН

pesh@ipmras.ru

+7(831) 417−94−92 (+255)

Описание установки

Стенд включает в себя приборы для прецизионного измерения статических, импульсных и высокочастотных характеристик полупроводниковых структур и приборов в двух-, трёх- и четырёхтерминальной конфигурациях на пластине с использованием зондовой станции. Стенд позволяет проводить исследования сверхвысокочастотных полупроводниковых структур и приборов в диапазоне частот до 110 ГГц. Стенд обеспечивает возможность исследования полупроводниковых структур и приборов силовой электроники в диапазоне напряжений до 2000 В и в диапазоне токов до 16 A.  Оборудование стенда позволяет проводить исследования электрофизических характеристик при повышенных температурах в диапазоне до 350 °C.

Технические характеристики

·         Диаметр пластины: до 6 дюймов.
·         Размер контактной площадки: от 5 мкм.
·         Диапазон рабочих напряжений: до 2000 В.
·         Разрешение по напряжению: от 1 мкВ.
·         Диапазон рабочих токов: до 16 А.
·         Разрешение по току: от 10 aA.
·         Диапазон рабочих частот: до 110 ГГц.
·         Длительность импульса: от 10 нс.
·         Диапазон рабочих температур: до 350 °C.

Возврат к списку