Установка совмещения и экспонирования контактной фотолитографии SUSS MJB4
Контактное лицо
Описание установки
Установка совмещения и экспонирования контактной фотолитографии SUSS MJB4 предназначена для проведения операций прецизионного совмещения фотошаблонов с подложками и экспонирования нанесённых на них тонких слоёв фоторезистов источником света ультрафиолетового диапазона. Установка оснащена прецизионной системой совмещения, позволяющей компенсировать толщину подложки. Кроме стандартных пластин предусмотрена работа с кусками подложек и хрупкими подложками. Установка оснащена оптикой UV400 (350 – 450 нм), оптическая система позволяет снизить дифракцию экспонирования. Методы контакта: низковакуумный; мягкий контакт; жесткий контакт; вакуумный контакт; контакт с зазором.Результаты
Технические характеристики
Размер пластин и подложек
· до 100 мм диаметром (пластины) и до 10х10 мм (подложки)
· специальные держатели для кусков пластин и подложек
· толщина подложек до 4 мм
Фотошаблоны
· размер от 2х2 до 5х5 дюймов, толщина до 4,8 мм
Прецизионная система совмещения
· перемещение по X и Y ± 5 мм, для Φ ± 5°
· механическая юстировка X, Y - 0.1 микрона
· механическая юстировка Φ - 4х10–5°
Методы контакта
· Низковакуумный - для маленьких и хрупких подложек используется экспонирование при низковакуумном контакте. При этом виде контактирования снижается нагрузка по подложку, достигается разрешение, превышающее параметры при мягком и жестком контакте
· Мягкий - разрешение в 2 микрона
· Жесткий - зазор между шаблоном и пластиной еще меньше благодаря поддуву азота под пластиной, пластина прижимается плотней к шаблону и разрешение может достигать 1 микрона.
· Вакуумный - максимальное разрешение
· Контакт с зазором - экспонирование с зазором до 50 микрон после предварительного совмещения маски и подложки
Оптика
· Оптика UV400, позволяющая снизить дифракцию экспонирования, использует спектр 350 W ртутной лампы высокого давления 350 – 450 нм
· до 100 мм диаметром (пластины) и до 10х10 мм (подложки)
· специальные держатели для кусков пластин и подложек
· толщина подложек до 4 мм
Фотошаблоны
· размер от 2х2 до 5х5 дюймов, толщина до 4,8 мм
Прецизионная система совмещения
· перемещение по X и Y ± 5 мм, для Φ ± 5°
· механическая юстировка X, Y - 0.1 микрона
· механическая юстировка Φ - 4х10–5°
Методы контакта
· Низковакуумный - для маленьких и хрупких подложек используется экспонирование при низковакуумном контакте. При этом виде контактирования снижается нагрузка по подложку, достигается разрешение, превышающее параметры при мягком и жестком контакте
· Мягкий - разрешение в 2 микрона
· Жесткий - зазор между шаблоном и пластиной еще меньше благодаря поддуву азота под пластиной, пластина прижимается плотней к шаблону и разрешение может достигать 1 микрона.
· Вакуумный - максимальное разрешение
· Контакт с зазором - экспонирование с зазором до 50 микрон после предварительного совмещения маски и подложки
Оптика
· Оптика UV400, позволяющая снизить дифракцию экспонирования, использует спектр 350 W ртутной лампы высокого давления 350 – 450 нм