Двухлучевая система с высоким разрешением для исследования и подготовки образцов Neon-40 (Carl Zeiss)

Двухлучевая система с высоким разрешением для исследования и подготовки образцов Neon-40 (Carl Zeiss)
Двухлучевая система с высоким разрешением для исследования и подготовки образцов Neon-40 (Carl Zeiss)

Контактное лицо

Гусев Сергей Александрович, к.ф.-м.н., в.н.с.

gusev@ipmras.ru

(831) 417-94-89 +122

Описание установки

Система Neon 40 представляет собой комбинацию автоэмиссионной электронно-оптической колонны GEMINI и автоэмиссионной ионной колонны, сфокусированных в единую точку фокуса. В серии реализованы самые последние достижения в области электронной и ионной оптики для применения во всех областях исследований, связанных с нанотехнологиями.

Электронно-оптическая колонна GEMINI использует уникальную комбинацию детекторов для получения изображений рельефа поверхности с одновременным отображением композиционного контраста в нанометровом масштабе.

Ионная колонна позволяет получать изображения структуры материала с учетом его химического состава. Комбинация двух высокоразрешающих колонн в едином приборе дает пользователям не имеющий прямых аналогов инструмент для наноманипулирования на высоких и сверхвысоких увеличениях. Все процессы, производимые ионным лучом или микро/наноманипулятором, наблюдаются в режиме онлайн.

В системе Neon 40 используются три интегрированные системы детектирования сигнала:
  • встроенный в линзовую систему для электронов детектор вторичных электронов (In-lens SE) для изучения топографии поверхности на предельных разрешениях;
  • два детектора отраженных электронов: встроенный в электронно-оптическую систему EsBD детектор и установленный в камере полупроводниковый детектор обратно рассеянных электронов, дающие картины поверхности с отображением химического контраста с высоким пространственным разрешением;
  • встроенный детектор вторичных электронов Эвернхарта-Торнли.


Также используются три режима работы:
  • сверхразрешающий автоэмиссионный РЭМ;
  • ионный микроскоп;
  • комбинированный режим: манипулирование ионным лучом — локальное травление и осаждение материалов (W, Pt, SiO2) с наблюдением в электронном пучке.


Помимо уникальных по разрешению и выдающихся по качеству изображений (топологии поверхности, композиционного контраста поверхности, карты ориентации магнитных доменов и т. п.), пользователи получают возможность заглянуть внутрь образца без нарушения его естественной структуры. Какой бы ни была поставленная задача — работа с металлами, инспекция полупроводниковых приборов, прецизионное препарирование биологических образцов, анализ слоистых структур, исследования керамик и полимеров, электронная или ионная литография, модификация ультрамалых структур (образцов), ионное травление/осаждение и даже 3D анализ — Neon 40 уже рассчитан на ее решение.

Технические характеристики

  Электронная колонна Ионная колонна
Пространственное разрешение 1.1 нм при 20 кВ
2.5 нм при 1 кВ
7 нм при 30кВ (гарантировано)
5 нм (достижимо)
Диапазон увеличений 20х – 900kх 600х – 500kх
Диапазон рабочих токов 4 pА – 20 nА 1 pА – 50 nА
Диапазон ускоряющих напряжений 0,1 – 30 kВ 2 – 30 kВ
Источник электронов/ионов
 
Автоэмиссионный (термоэмиссионного типа).
Стабильность лучше, чем 0.2% в час
Автоэмиссионный Ga
Встроенные детекторы 1)EsB и BSE детекторы
2) In-lens SE
3) Детектор вторичных электронов Эвернхарта-Торнли
4) ИК-камера для обзора рабочей амеры

Возврат к списку