Идентификация резонансных состояний акцепторов в объемных пленках на основе HgCdTe
Рис. 1
Рис. 2
Рис. 3
Рис. 1 Фотография фурье-спектрометра, оснащенного герметичным выводом для волноводной вставки в сосуд Дьюара.
Рис. 2 Схема измерений спектров фотопроводимости в сосудах Дьюара.
Рис. 3 Спектры фотопроводимости образца HgCdTe с долей кадмия 0.17 при Т = 4.2 К и различных значениях магнитного поля (в геометрии Фарадея).
Показано, что в бесщелевых твердых растворах HgCdTe особенности в виде пиков на спектрах фоточувствительности в окрестности 80 см-1 и 150 см-1 обусловлены состояниями акцепторов, попадающих в континуум зоны проводимости, т.е. являющимися резонансными. При измерении спектров фотопроводимости в магнитных полях до 3 Т за счет сильного квантования Ландау электронов с малой эффективной массой происходит увеличение ширины запрещенной зоны, из-за чего красная граница фоточувствительности смещается в сторону больших энергий кванта. С другой стороны, переходы из валентной зоны на состояния акцепторов практически не испытывают влияния магнитного поля и сохраняют свое положение на спектре.
Рис. 2 Схема измерений спектров фотопроводимости в сосудах Дьюара.
Рис. 3 Спектры фотопроводимости образца HgCdTe с долей кадмия 0.17 при Т = 4.2 К и различных значениях магнитного поля (в геометрии Фарадея).
Показано, что в бесщелевых твердых растворах HgCdTe особенности в виде пиков на спектрах фоточувствительности в окрестности 80 см-1 и 150 см-1 обусловлены состояниями акцепторов, попадающих в континуум зоны проводимости, т.е. являющимися резонансными. При измерении спектров фотопроводимости в магнитных полях до 3 Т за счет сильного квантования Ландау электронов с малой эффективной массой происходит увеличение ширины запрещенной зоны, из-за чего красная граница фоточувствительности смещается в сторону больших энергий кванта. С другой стороны, переходы из валентной зоны на состояния акцепторов практически не испытывают влияния магнитного поля и сохраняют свое положение на спектре.
Оборудование
Контактное лицо
Публикации
• V.V.Rumyantsev, S.V.Morozov, A.V.Antonov, M.S.Zholudev,K.E.Kudryavtsev, V.I.Gavrilenko, S.A.Dvoretskii, N.N.Mikhailov. Spectra and kinetics of THz photoconductivity in narrow-gap Hg1-xCdxTe (x<0.2) epitaxial films. Semicond. Sci. Technol. 28, 125007 (2013).• Rumyantsev, V. V., D. V. Kozlov, S. V. Morozov, M. A. Fadeev, A. M. Kadykov, F. Teppe, V. S. Varavin, M. V. Yakushev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii and V. I. Gavrilenko (2017). "Terahertz photoconductivity of double acceptors in narrow gap HgCdTe epitaxial films grown by molecular beam epitaxy on GaAs(013) and Si(013) substrates." Semiconductor Science and Technology 32(9): 095007.