Стимулированное излучение в структурах на основе HgCdTe при комнатной температуре

Оптика и спектроскопия
Рис. 1. Спектры СИ (сплошные линии) при различных длинах волн импульсного возбуждения (с фиксированным потоком фотонов) и спектр ФЛ при непрерывном возбуждении диодным лазером с длиной волны 808 нм.

В гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe были исследованы спектры излучения в диапазоне длин волн 2.4 – 2.8 мкм и процессы разогрева носителей при импульсной оптической накачке с различной длиной волны в диапазоне 1.2 – 2.3 мкм. Были определены оптимальные параметры возбуждения для минимизации пороговой мощности возникновения усиления на межзонных переходах и продемонстрировано СИ при комнатной температуре на длинах волн 2.5 мкм и 2.7 мкм.

Контактное лицо

Румянцев Владимир Владимирович, к.ф.-м.н., зав.лаб.

rumyantsev@ipmras.ru

+7 (831) 417−94−91

Публикации

• Vladimir V. Utochkin, Konstantin E. Kudryavtsev, Alexander A. Dubinov, Mikhail A. Fadeev, Vladimir V. Rumyantsev, Anna A. Razova, Egor V. Andronov, Vladimir Ya. Aleshkin, Vladimir I. Gavrilenko, Nikolay N. Mikhailov, Sergey A. Dvoretsky, Frederic Teppe and Sergey V. Morozov, Stimulated Emission up to 2.75 µm from HgCdTe/CdHgTe QW Structure at Room Temperature, Nanomaterials, 12, (2022) 2599.
• Fadeev M., Troshkin A., Dubinov A., Utochkin V., Razova A., Rumyantsev V., Aleshkin V., Gavrilenko V., Mikhailov N., Dvoretsky S., Morozov S. Mid-infrared stimulated emission in HgCdTe/CdHgTe quantum well heterostructures at room temperature, Optical Engineering. 2020. Т. 60. № 8. 082006.

Возврат к списку