Тонкопленочные структуры на основе гибридных металл-галидных перовскитов
Рисунок 1. 2D-изображения межэлектродного зазора, полученные методом ToF-SIMS для: вторичных отрицательных ионов PbI3, распыляемых пучком ионов цезия (а,б) и вторичных положительных ионов Au, распыляемых пучком ионов кислорода (в,г) – до (а,в) и после (б,
Установка термического напыления на базе ВУП-5 позволяет получать двухкомпонентные тонкие плёнки заданного состава в режиме соиспарения двух различных по природе компонентов из двух независимо нагреваемых источников. Оборудование было использовано для получения тонкопленочных структур, состоящих из слоя гибридного соединения - формамидиния-иодида свинца FAPbI3, с осажденными сверху через теневую маску планарными золотыми электродами. Длительное воздействие постоянного электрического тока на слой перовскита в темноте приводит к миграции химических частиц в межэлектродном зазоре. В результате интерфейс перовскит/электрод разрушается, а длина межэлектродного зазора сокращается.