Получение тонких плёнок оксида галлия на подложках сапфира

В данной работе проведено исследование тонких плёнок оксида галлия, полученных методом атомно-слоевого осаждения (АСО). Оксид галлия осаждался на подложки сапфира с-среза и а-среза. Было установлено, что методом АСО при температурах до 300 °С на подложках сапфира обеих ориентаций получаются аморфные пленки. После осаждения проводился отжиг пленок при температуре 900 °С в атмосферах аргона и кислорода. Для пленок на а-срезе сапфира отжиг в обеих атмосферах привёл к формированию поликристаллической фазы β-Ga2O3. На полученные пленки осаждены встречно-штырьевые электроды и сформированы MSM структуры солнечно-слепых УФ-фотодетекторов и исследованы их фотоэлектрические характеристики.