Изготовление диэлектрических пленок ZrO2, SiO2, Al2O3
Рис. 1. – ВАХ МДП структуры с подзатворным диэлектриком (ZrO2)0.96(Y2O3)0.04 толщиной 33 нм без отжига
Рис. 2. – Диагностика пленки SiO2 методом малоугловой рентгеновской рефлектометрии
Впервые разработаны условия осаждения методом электронно-лучевого напыления слоев подзатворного high-k диэлектрика ZrO2:Y2O3
на гетероструктурах GeSn/SiO2/Si(100). Исследования затворных свойств слоев (ZrO2)0.96(Y2O3)0.04 толщиной 33 нм, показали, что максимальное значение диэлектрической проницаемости составляет 20.9, а минимальные значения токов утечки 1.5•10–6
А/см2 при напряжении -1 В, что является хорошим параметром для слоев high-k диэлектриков на основе ZrO2. Установлено, что диэлектрический слой выдерживает максимальное напряжение 5В, что соответствует значению напряженности поля пробоя Еbr =1.5•106 В/см.
Методом электронно-лучевого осаждения получена пленка SiO2 толщиной 51нм, плотностью 2.1г/см3 и шероховатостью 0.4нм. Значение напряженности поля пробоя составило Еbr =1.2•106 В/см, что близко к табличному значению.
Методом электронно-лучевого осаждения получена пленка SiO2 толщиной 51нм, плотностью 2.1г/см3 и шероховатостью 0.4нм. Значение напряженности поля пробоя составило Еbr =1.2•106 В/см, что близко к табличному значению.
Оборудование
Контактное лицо
Публикации
- Архипова Е.А., Бузынин Ю. Н., Титова А.М., Алябина Н.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Нежданов А.В., Здоровейшев А.В., «Характеристики МОП-конденсаторов, сформированных осаждением слоев диэлектрика ZrO2:Y2O3 на гетероструктурах Ge/Si(001), выращенных методом HW CVD», Прикладная физика, №1, с. 85-90, 2024.
- Архипова Е.А., Бузынин Ю. Н., Титова А.М., Алябина Н.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Здоровейшев А.В., «Разработка структуры прибора Ge-MISFET с индуцированным каналом p-типа», Микроэлектроника, том 53, с. 197-201, 2024.