Исследование морфологии поверхности пластин монокристаллического HPHT алмаза
Рис. 1
Рис. 2
Рис. 2
Рис. 3
Рис. 1. Интерферометр белого света Talysurf CCI 2000
Рис. 2. Изображения поверхности пластин HPHT алмаза, полученные на интерферометре белогосвета
Рис. 3. Фрагмент 3D карты поверхности пластины HPHT алмаза после её травления в кислородной плазме
Были проведены комплексные исследования изменения морфологии пластин монокристаллического синтетического HPHT алмаза – непосредственно после приобретения у поставщика, после механической полировки и обработки поверхности в плазме. Исследования позволили отработать режимы полировки и травления поверхности подложек, обеспечивающие отсутствие нарушенного слоя со сниженным кристаллическим качеством. При травлении HPHT подложек в плазме СВЧ разряда в чистом водороде либо в водород-кислородной смеси наблюдается формирование сингулярных террас с ориентацией поверхности (001), плотность террас соответствует плотности дислокаций в пластинах. Определены режимы подготовки поверхности, позволяющие проводить затем гомоэпитаксиальный рост CVD плёнок алмаза электронного качества.
Рис. 2. Изображения поверхности пластин HPHT алмаза, полученные на интерферометре белогосвета
Рис. 3. Фрагмент 3D карты поверхности пластины HPHT алмаза после её травления в кислородной плазме
Были проведены комплексные исследования изменения морфологии пластин монокристаллического синтетического HPHT алмаза – непосредственно после приобретения у поставщика, после механической полировки и обработки поверхности в плазме. Исследования позволили отработать режимы полировки и травления поверхности подложек, обеспечивающие отсутствие нарушенного слоя со сниженным кристаллическим качеством. При травлении HPHT подложек в плазме СВЧ разряда в чистом водороде либо в водород-кислородной смеси наблюдается формирование сингулярных террас с ориентацией поверхности (001), плотность террас соответствует плотности дислокаций в пластинах. Определены режимы подготовки поверхности, позволяющие проводить затем гомоэпитаксиальный рост CVD плёнок алмаза электронного качества.
Контактное лицо
Публикации
• A.B. Muchnikov, A.L. Vikharev, J.E. Butler, V.V. Chernov, V.A. Isaev, S.A. Bogdanov, A.I. Okhapkin, P.A. Yunin, Y.N. Drozdov, Homoepitaxial growth of CVD diamond after ICP pretreatment, Physica Status Solidi (a), 2015, V. 212, Issue 11, P. 2572–2577• A.B. Muchnikov, D.B. Radishev, A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, A.V. Mitenkin, M.N. Drozdov, Y.N. Drozdov, P.A. Yunin, Characterization of interfaces in mosaic CVD diamond crystal, J. Cryst. Growth, 442 (2016) 62-67
• Юнин П.А., Дроздов Ю.Н., Чернов В.В., Исаев В.А., Богданов С.А., Мучников А.Б. Формирование сингулярных (001) террас на поверхности монокристаллических HPHT алмазных подложек, ФТП, 2016, Т 50, вып. 12, с. 1647-1651
• Юнин П.А., Волков П.В., Дроздов Ю.Н., Колядин А.В., Королев С.А., Радищев Д.Б., Суровегина Е.А., Шашкин В.И. Исследование структурных и морфологических свойств HPHT алмазных подложек, ФТП, 2018, т. 52, вып. 11, с. 1321-1325