Исследование профиля кремниевых полосок и дисков на подложке SiO2 после плазмохимического травления
Методом сканирующей электронной микроскопии были исследованы профили кремниевых полосок и дисков после плазмохимического травления в смеси газов SF6 : СHF3 до слоя SiO2 (рис. 1).
Рис. 1. СЭМ изображение, полученное во вторичных электронах кремниевой полоски(а) и SiGe диска (б).
Используя данные сканирующей электронной микроскопии были определены скорости травления Si и SiGe пленок в смеси газов SF6 : СHF3. Также была получена информация о вертикальности стенок элементов при травлении. Было продемонстрировано, что плазмохимическое травление в смеси газов SF6 : СHF3 при определенных режимах позволяет достичь вертикальных стенок. Вертикальность стенок профиля определяется профилем маски, в которой производится травление.
Рис. 1. СЭМ изображение, полученное во вторичных электронах кремниевой полоски(а) и SiGe диска (б).
Используя данные сканирующей электронной микроскопии были определены скорости травления Si и SiGe пленок в смеси газов SF6 : СHF3. Также была получена информация о вертикальности стенок элементов при травлении. Было продемонстрировано, что плазмохимическое травление в смеси газов SF6 : СHF3 при определенных режимах позволяет достичь вертикальных стенок. Вертикальность стенок профиля определяется профилем маски, в которой производится травление.
Оборудование
Контактное лицо
Публикации
- Юрасов Д.В., Байдакова Н.А., Вербус В.А., Гусев Н.С., Машин А.И., Морозова Е.Е., Нежданов А.В., Новиков А.В., Скороходов Е.В., Шенгуров Д.В., Яблонский А.Н.
Физика и техника полупроводников. 2019. Т. 53. № 10. С. 1360-1365. -
Смагина Ж.В., Степихова М.В., Зиновьев В.А., Дьяков С.А., Родякина Е.Е., Шенгуров Д.В., Кацюба А.В., Новиков А.В.
Физика и техника полупроводников. 2023. Т. 57. № 6. С. 414-420.