Исследование морфологии поверхности и профиля структуры InN/GaN/AlN/Al2O3 со слоем InN, выращенным при 470 °C и соотношении потоков III/V ~ 0.8.
Рис. 1. Полученный методом СЭМ снимок поперечного скола структуры InN/GaN/AlN/Al2O3 со слоем InN, выращенным при 470◦C и соотношении потоков III/V ∼ 0.8.
Согласно данным СЭМ, слои InN, выращенные в условиях обогащения азотом (0.7 < III/V < 1) при разных температурах методом молекулярно-лучевой эпитаксии, имеют сплошную, без видимых нанопор структуру, но обладают развитой морфологией поверхности
Было показано, что толщина буферного слоя AlN, выращенного при температуре 820◦ C, составляет 200 нм. Толщина буферного слоя GaN, выращенного при температуре 710◦ C, составляет 700 нм. На данных буферных слоях GaN/AlN осуществлялся рост слоя InN толщиной ∼700 нм.
Согласно данным СЭМ, слои InN, выращенные в условиях обогащения азотом (0.7 < III/V < 1) при разных температурах методом молекулярно-лучевой эпитаксии, имеют сплошную, без видимых нанопор структуру, но обладают развитой морфологией поверхности
Было показано, что толщина буферного слоя AlN, выращенного при температуре 820◦ C, составляет 200 нм. Толщина буферного слоя GaN, выращенного при температуре 710◦ C, составляет 700 нм. На данных буферных слоях GaN/AlN осуществлялся рост слоя InN толщиной ∼700 нм.
Контактное лицо
Публикации
Б.А. Андреев, Д.Н. Лобанов, Л.В. Красильникова, П.А. Бушуйкин, А.Н. Яблонский, А.В. Новиков,В.Ю. Давыдов, П.А. Юнин, М.И. Калинников, Е.В. Скороходов, З.Ф. Красильник, Излучательные свойства сильно легированных эпитаксиальных слоев нитрида индия, Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, вып. 10