Установка магнетронного распыления на базе ВУП-5
Контактное лицо
Гусев Никита Сергеевич, ведущий технолог ИФМ РАН
+7 (831) 417−94−89 (+126)
Описание установки
В ростовой камере размещены 3 магнетрона. Конфигурация системы магнетронов дает возможность одновременного распыления нескольких мишеней. Держатель подложки оснащен вращателем с регулируемой частотой. Максимальный размер подложки – 50 мм. Есть возможность напыления в магнитном поле до 1 кГс. Установка оснащена тремя независимыми DC источниками. Для распыления металлических материалов используется магнетронный разряд постоянного тока. Скорость роста пленок составляет от 0.1 до 3 нм в секунду и определяется материалом мишени и мощностью создаваемого разряда. Двуступенчатая откачка до высокого вакуума при помощи пластинчато-роторного и диффузионного насоса. Аналоговое управление. Напыление при комнатной температуре.Результаты
Технические характеристики
• Предельный вакуум - 2·10-6 Торр;• Точность поддержания динамического давления рабочего газа - 2·10-3 Торр;
• Максимальный диаметр подложки - 50 мм;
• Магнитное поле в процессе роста – 1000 Гс;
• Неоднородность толщины покрытия по площади 50 мм пластины: менее 2%;
• Количество мишеней – 3 шт;
• Рабочий газ - аргон;
• Возможность изготовления двухкомпонентных сплавов путем сораспыления двух мишеней;
• Мощность постоянного разряда - от 50 до 300 W;
• Минимальная толщина слоев: менее 1 нм;