Стенд для холловских измерений транспортных свойств полупроводниковых структур

Стенд для холловских измерений транспортных свойств полупроводниковых структур
Стенд для холловских измерений транспортных свойств полупроводниковых структур

Контактное лицо

Королев Сергей Александрович, с.н.с. ИФМ РАН

pesh@ipmras.ru

+7(831) 417−94−92 (+255)

Описание установки

Стенд позволяет проводить измерение сопротивления образца, типа, подвижности и концентрации носителей заряда. Измерение основано на использовании метода Холла – ван дер Пау. Доступны измерения как при комнатной температуре, так и при температуре жидкого азота.

Технические характеристики

• Задаваемый ток: от 0.1 пА до 100 мА.
• Измеряемое напряжение: от 0.1 мкВ до 1000 В.
• Индукция магнитного поля: до 0.58 Тл.
• Латеральный размер образца: до 100 мм.
• Толщина образца: до 10 мм.
• Температура измерения: комнатная температура, температура жидкого азота.

Возврат к списку