Формирование релаксированных SiGe/Si(001) буферных слоев методами газофазной и молекулярно-пучковой эпитаксии
АСМ-снимки поверхности SiGe/Si(001) буферных слоев. На снимках видна характерная cross-hatch картина неровностей, обусловленная наличием сетки дислокаций несоответствия. Размер сканов 30 × 30 мкм.
Методами газофазной эпитаксии при атмосферном давлении и молекулярно-пучковой эпитаксии выращены релаксированные градиентные буферные слои Si1−x Gex / Si(001), имеющие низкую плотность прорастающих дислокаций. За счет применения химико-механической полировки поверхности слоев Si 1−x Gex / Si(001) (x ≤ 35%) удалось понизить шероховатость их поверхности до значений, сравниваемых с шероховатостью поверхности исходных подложек Si(001). Продемонстрировано, что полученные буферные слои Si1−x Gex / Si(001) с низкой плотностью прорастающих дислокаций и малой шероховатостью поверхности могут быть использованы в качестве искусственных подложек для выращивания различных эпитаксиальных SiGe / Si гетероструктур.
Методами газофазной эпитаксии при атмосферном давлении и молекулярно-пучковой эпитаксии выращены релаксированные градиентные буферные слои Si1−x Gex / Si(001), имеющие низкую плотность прорастающих дислокаций. За счет применения химико-механической полировки поверхности слоев Si 1−x Gex / Si(001) (x ≤ 35%) удалось понизить шероховатость их поверхности до значений, сравниваемых с шероховатостью поверхности исходных подложек Si(001). Продемонстрировано, что полученные буферные слои Si1−x Gex / Si(001) с низкой плотностью прорастающих дислокаций и малой шероховатостью поверхности могут быть использованы в качестве искусственных подложек для выращивания различных эпитаксиальных SiGe / Si гетероструктур.