Методика получения Ge/Si(001) самоформирующихся нанопроволок для реализации на их основе дырочных спиновых кубитов
АСМ-снимки структур с самоформирующимися Ge-нанопроволоками. Величина отстройки от критической толщины составляет (a) 0.35, (b) 0.43 и (с) 0.5 монослоя (1 монослой ~ 0.14 нм). Размер всех сканов 5 × 5 мкм. d — 3D АСМ-снимок одиночной нанопроволоки, размер скана 0.5 × 0.5 мкм
Предложена методика получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке Si(001) самоформирующихся Ge-нанопроволок. Подход основан на осаждении в двух зонах подложки различного количества Ge и контроле поверхности одной из зон методом дифракции быстрых электронов, что позволяет осаждать произвольно близкое к критической толщине псевдоморфного роста количество Ge в другой зоне. Совместно с оптимизированными условиями постростового отжига это позволило получить Ge-нанопроволоки с различными параметрами, в том числе с длиной более 0.5 мкм и низкой поверхностной плотностью, морфология которых удовлетворяет требованиям для формирования на их основе дырочных спиновых кубитов.
Предложена методика получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке Si(001) самоформирующихся Ge-нанопроволок. Подход основан на осаждении в двух зонах подложки различного количества Ge и контроле поверхности одной из зон методом дифракции быстрых электронов, что позволяет осаждать произвольно близкое к критической толщине псевдоморфного роста количество Ge в другой зоне. Совместно с оптимизированными условиями постростового отжига это позволило получить Ge-нанопроволоки с различными параметрами, в том числе с длиной более 0.5 мкм и низкой поверхностной плотностью, морфология которых удовлетворяет требованиям для формирования на их основе дырочных спиновых кубитов.