Научные методики ЦКП
Методика определения концентрации двухкомпонентных твердых растворов и уровня остаточных упругих напряжений в эпитаксиальных слоях GexSi1-x; InxGa1-xAs; GaAs1-xPx; InAs1-xPx; GaAs1-xNx и др. методом рентгеновской дифрактометрии
Методика измерения толщины тонких слоев и шероховатости поверхности по угловым спектрам рассеяния жесткого рентгеновского излучения
Методика определения параметров многослойных зеркал (толщина слоев, период повторения и дисперсия) с помощью рентгеновской рефлектометрии
Методика определения отклонения среза пластины от кристаллографической плоскости методом рентгеновской дифрактометрии
Методика измерения толщины слоев и шероховатости границ многослойных структур по угловым и спектральным зависимостям коэффициента отражения мягкого рентгеновского излучения
Методика измерения коэффициентов отражения мягкого рентгеновского излучения с относительной точностью до 1% для диапазона 0,6-200 нм
Методика диагностики структуры тонких объектов (толщиной до ~100 нм) с помощью методов дифракции быстрых электронов и просвечивающей электронной микроскопии
Методика определения элементного состава объектов (количественные измерения), построения карт распределения элементов и фаз с помощью методов энергодисперсионного рентгеновского микроанализа
Методика диагностики тонких объектов методом спектроскопии характеристических потерь электронов (включая количественные измерения толщины и состава тонких пленок)
Методика морфометрического анализа субмикронных и нанометровых неоднородностей и частиц методом сканирующей электронной микроскопии
Методика сканирующей электронной микроскопии непроводящих объектов без предварительной подготовки
Методика формирования структур на поверхности твердого тела с помощью электронной литографии
Методика измерения шероховатости поверхностей с негауссовым распределением по высотам методом атомно-силовой микроскопии
Методика исследования морфологии поверхности методом оптической интерферометрии белого света с помощью системы Talysurf CCI 2000
Методика интерферометрических измерений физических параметров прозрачных слоев
Методика измерения профиля распределения состава по глубине образца с высокой чувствительностью и высоким разрешением методом вторично-ионной масс-спектрометрии с помощью прибора TOF. SIMS-5
Методика определения электроактивных примесей в моноизотопном кремнии
Методика определения состава и ширины квантовых ям в полупроводниковых гетероструктурах методом фотолюминесценции
Методика стационарной и время-разрешающей спектроскопии полупроводниковых структур в видимом и ближнем инфракрасном диапазонах длин волн 0,2-2мкм
Методика исследования спектров пропускания, фотопроводимости, люминесценции и стимулированного излучения полупроводниковых структур, кристаллов и диэлектрических материалов методом Фурье-спектроскопии
Методика диагностики электрофизических параметров полупроводниковых микроструктур и нестационарной спектроскопии глубоких уровней методом электрохимического C-V профилирования
Методика измерения магнитооптических параметров магнитных пленок на основе эффектов Керра и Фарадея
Методика измерения остаточной намагниченности и распределения намагниченности в плоскости пленки, а также температурной и полевой зависимости остаточной намагниченности
Методика измерения вольт-амперных характеристик сверхпроводящих мостиков и джозефсоновских переходов, их зависимости от температуры, напряженности магнитного поля и мощности СВЧ излучения
Методика измерения нелинейных свойств тонких сверхпроводящих пленок и распределения нелинейных свойств и критической температуры в плоскости пленки бесконтактным методом
Методика измерения поверхностного СВЧ сопротивления сверхпроводящих плёнок
Методика спектральных исследованиий (абсорбция, фотопроводимость) и магнитоспектроскопических измерений в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн
